NCEP1570GU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NCEP1570GU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6-8L
Аналог (замена) для NCEP1570GU
NCEP1570GU Datasheet (PDF)
ncep1570gu.pdf
http://www.ncepower.com NCEP1570GUNCE N-Channel Super Trench Power MOSFETDescriptionGeneral FeaturesThe NCEP1570GU uses Super Trench technology that isV =150V,I =70ADS Duniquely optimized to provide the most efficient highR =13.5m (typical) @ V =10VDS(ON) GSfrequency switching performance. Both conduction andExcellent gate charge x R product(FOM)DS(on)switching
ncep1570 ncep1570d.pdf
http://www.ncepower.com NCEP1570,NCEP1570DNCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The series of devices uses Super Trench technology that is VDS =150V,ID =70A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=13.5m (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and Excellent gate charge x RDS(on) product(
ncep1570d.pdf
http://www.ncepower.com NCEP1570,NCEP1570DNCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The series of devices uses Super Trench technology that is VDS =150V,ID =70A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=13.5m (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and Excellent gate charge x RDS(on) product(
ncep1570.pdf
http://www.ncepower.com NCEP1570,NCEP1570DNCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The series of devices uses Super Trench technology that is VDS =150V,ID =70A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=13.5m (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and Excellent gate charge x RDS(on) product(
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .