MRF275G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MRF275G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3333 Ohm
Paquete / Cubierta: CASE375-04
Búsqueda de reemplazo de MRF275G MOSFET
MRF275G Datasheet (PDF)
mrf275g.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF275G/DThe RF MOSFET LinePower Field-Effect TransistorMRF275GNChannel EnhancementModeDesigned primarily for wideband largesignal output and driver stages from100 500 MHz.150 W, 28 V, 500 MHz Guaranteed Performance @ 500 MHz, 28 VdcNCHANNEL MOSOutput Power 150 WattsBROADBANDPower Gain
mrf275grev0.pdf

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mrf275l.pdf

MRF275L The RF MOSFET Line M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 100W, 500MHz, 28V Designed for broadband commercial and military applica-Product Image tions using single ended circuits at frequencies to 500 MHz. The high power, high gain and broadband perform-ance of this device makes possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands. N-Cha
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History: SI7682DP | GP2M002A060XG
History: SI7682DP | GP2M002A060XG



Liste
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