MRF275G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MRF275G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3333 Ohm
   Paquete / Cubierta: CASE375-04

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MRF275G

MRF275G Datasheet (PDF)

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MRF275L The RF MOSFET Line M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 100W, 500MHz, 28V Designed for broadband commercial and military applica-Product Image tions using single ended circuits at frequencies to 500 MHz. The high power, high gain and broadband perform-ance of this device makes possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands. N-Cha

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History: AP9467GM

Liste

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