MRF275G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MRF275G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 400 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 65 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 40 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 26 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.3333 Ohm
Paquete / Cubierta: CASE375-04
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MRF275G
MRF275G Datasheet (PDF)
mrf275g.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF275G/DThe RF MOSFET LinePower Field-Effect TransistorMRF275GNChannel EnhancementModeDesigned primarily for wideband largesignal output and driver stages from100 500 MHz.150 W, 28 V, 500 MHz Guaranteed Performance @ 500 MHz, 28 VdcNCHANNEL MOSOutput Power 150 WattsBROADBANDPower Gain
mrf275grev0.pdf
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MRF275L The RF MOSFET Line M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 100W, 500MHz, 28V Designed for broadband commercial and military applica-Product Image tions using single ended circuits at frequencies to 500 MHz. The high power, high gain and broadband perform-ance of this device makes possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands. N-Cha
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