BR20N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BR20N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 280 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 70 nC
   Tiempo de subida (tr): 400 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BR20N50

BR20N50 Datasheet (PDF)

..1. Size:975K blue-rocket-elect
br20n50.pdf

BR20N50 Rev. F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features dv/dt Low gate charge, Fast switching capability, Avalanche energy specified, Improved dv/dt capability. / Applications

9.1. Size:975K blue-rocket-elect
br20n40.pdf

BR20N40 Rev.C Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features dv/dt Low gate charge, Fast switching capability, Avalanche energy specified, Improved dv/dt capability. / Applications

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: