BR20N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BR20N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
Encapsulados: TO-220
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BR20N50 datasheet
br20n40.pdf
BR20N40 Rev.C Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features dv/dt Low gate charge, Fast switching capability, Avalanche energy specified, Improved dv/dt capability. / Applications
Otros transistores... MRF275G, MRF5003, MRF5007, MRF5007R1, MRF5015, MRF5035, 2N7002K1, BR10N60, IRF520, BR2N7002AK2, BR2N7002LK2, BR40N20, BR4N70, BR50N03, BR6N70, BR7N65, BRA10N65
History: SVF1N60AMJ | IRFP462
🌐 : EN ES РУ
Liste
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