BR20N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR20N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BR20N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR20N50 даташит

 ..1. Size:975K  blue-rocket-elect
 br20n50.pdf pdf_icon

BR20N50

 9.1. Size:975K  blue-rocket-elect
 br20n40.pdf pdf_icon

BR20N50

BR20N40 Rev.C Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features dv/dt Low gate charge, Fast switching capability, Avalanche energy specified, Improved dv/dt capability. / Applications

Другие IGBT... MRF275G, MRF5003, MRF5007, MRF5007R1, MRF5015, MRF5035, 2N7002K1, BR10N60, IRF520, BR2N7002AK2, BR2N7002LK2, BR40N20, BR4N70, BR50N03, BR6N70, BR7N65, BRA10N65