Справочник MOSFET. BR20N50

 

BR20N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BR20N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BR20N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR20N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:975K  blue-rocket-elect
 br20n50.pdf pdf_icon

BR20N50

BR20N50 Rev. F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features dv/dt Low gate charge, Fast switching capability, Avalanche energy specified, Improved dv/dt capability. / Applications

 9.1. Size:975K  blue-rocket-elect
 br20n40.pdf pdf_icon

BR20N50

BR20N40 Rev.C Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features dv/dt Low gate charge, Fast switching capability, Avalanche energy specified, Improved dv/dt capability. / Applications

Другие MOSFET... MRF275G , MRF5003 , MRF5007 , MRF5007R1 , MRF5015 , MRF5035 , 2N7002K1 , BR10N60 , CS150N03A8 , BR2N7002AK2 , BR2N7002LK2 , BR40N20 , BR4N70 , BR50N03 , BR6N70 , BR7N65 , BRA10N65 .

History: S-LBSS84WT1G | SFF25P20S2I-02 | PP1410AF | SQ2318AES | LBSS84WT1G | CJ3415 | AM3458N

 

 
Back to Top

 


 
.