BRB70R1K2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRB70R1K2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 730 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 316 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-263

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BRB70R1K2 datasheet

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BRB70R1K2

BRB70R1K2 Rev.A Jul.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS Super Junction N-Channel Power MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R =1.2 @V =10V Q =8.9nC typ, DS(ON) GS g Ultra Low RDS(ON) =1.2 @VGS =10V,Ultra Low Gate Charge, Qg=8.9nC typ, Fast switching capab

Otros transistores... BR6N70, BR7N65, BRA10N65, BRA7N65, BRB100N03, BRB10N65, BRB13N50, BRB4N60, IRFZ46N, BRB80N08A, BRB840, BRCS010N03SZC, BRCS010N04SZC, BRCS015N04SZC, BRCS016N03DP, BRCS016N03SZC, BRCS016N03ZC