BRB70R1K2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRB70R1K2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 730 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 316 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для BRB70R1K2
BRB70R1K2 Datasheet (PDF)
brb70r1k2.pdf

BRB70R1K2 Rev.A Jul.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS Super Junction N-Channel Power MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R =1.2@V =10V Q =8.9nCtyp,DS(ON) GS gUltra Low RDS(ON) =1.2@VGS =10V,Ultra Low Gate Charge, Qg=8.9nC typ, Fast switching capab
Другие MOSFET... BR6N70 , BR7N65 , BRA10N65 , BRA7N65 , BRB100N03 , BRB10N65 , BRB13N50 , BRB4N60 , RU7088R , BRB80N08A , BRB840 , BRCS010N03SZC , BRCS010N04SZC , BRCS015N04SZC , BRCS016N03DP , BRCS016N03SZC , BRCS016N03ZC .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor