Справочник MOSFET. BRB70R1K2

 

BRB70R1K2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRB70R1K2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 730 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 316 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для BRB70R1K2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB70R1K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:629K  blue-rocket-elect
 brb70r1k2.pdf pdf_icon

BRB70R1K2

BRB70R1K2 Rev.A Jul.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS Super Junction N-Channel Power MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R =1.2@V =10V Q =8.9nCtyp,DS(ON) GS gUltra Low RDS(ON) =1.2@VGS =10V,Ultra Low Gate Charge, Qg=8.9nC typ, Fast switching capab

Другие MOSFET... BR6N70 , BR7N65 , BRA10N65 , BRA7N65 , BRB100N03 , BRB10N65 , BRB13N50 , BRB4N60 , STP65NF06 , BRB80N08A , BRB840 , BRCS010N03SZC , BRCS010N04SZC , BRCS015N04SZC , BRCS016N03DP , BRCS016N03SZC , BRCS016N03ZC .

History: IRF6619 | TPC8301 | RJK5026DPE | 3N70L-TF3-T | DMG6301UDW

 

 
Back to Top

 


 
.