BRB70R1K2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRB70R1K2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 730 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 316 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для BRB70R1K2
BRB70R1K2 Datasheet (PDF)
brb70r1k2.pdf

BRB70R1K2 Rev.A Jul.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS Super Junction N-Channel Power MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R =1.2@V =10V Q =8.9nCtyp,DS(ON) GS gUltra Low RDS(ON) =1.2@VGS =10V,Ultra Low Gate Charge, Qg=8.9nC typ, Fast switching capab
Другие MOSFET... BR6N70 , BR7N65 , BRA10N65 , BRA7N65 , BRB100N03 , BRB10N65 , BRB13N50 , BRB4N60 , STP65NF06 , BRB80N08A , BRB840 , BRCS010N03SZC , BRCS010N04SZC , BRCS015N04SZC , BRCS016N03DP , BRCS016N03SZC , BRCS016N03ZC .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor