BRB70R1K2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRB70R1K2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 730 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 316 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для BRB70R1K2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB70R1K2 даташит

 ..1. Size:629K  blue-rocket-elect
 brb70r1k2.pdf pdf_icon

BRB70R1K2

BRB70R1K2 Rev.A Jul.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS Super Junction N-Channel Power MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R =1.2 @V =10V Q =8.9nC typ, DS(ON) GS g Ultra Low RDS(ON) =1.2 @VGS =10V,Ultra Low Gate Charge, Qg=8.9nC typ, Fast switching capab

Другие IGBT... BR6N70, BR7N65, BRA10N65, BRA7N65, BRB100N03, BRB10N65, BRB13N50, BRB4N60, IRFZ46N, BRB80N08A, BRB840, BRCS010N03SZC, BRCS010N04SZC, BRCS015N04SZC, BRCS016N03DP, BRCS016N03SZC, BRCS016N03ZC