BRCS045N10SHBD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS045N10SHBD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 955 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO-263

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BRCS045N10SHBD datasheet

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BRCS045N10SHBD

BRCS045N10SHBD Rev.A Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching, HF Product. / Applications BMS High frequency switching and synchronous

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BRCS045N10SHBD

BRCS045N10SHRA Rev.A Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching. / Applications BMS High frequency switching and synchronous rectification, BMS, Motor.

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