BRCS045N10SHBD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS045N10SHBD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 955 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для BRCS045N10SHBD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS045N10SHBD даташит

 ..1. Size:2030K  blue-rocket-elect
 brcs045n10shbd.pdf pdf_icon

BRCS045N10SHBD

BRCS045N10SHBD Rev.A Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching, HF Product. / Applications BMS High frequency switching and synchronous

 2.1. Size:2151K  blue-rocket-elect
 brcs045n10shra.pdf pdf_icon

BRCS045N10SHBD

BRCS045N10SHRA Rev.A Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching. / Applications BMS High frequency switching and synchronous rectification, BMS, Motor.

 6.1. Size:1904K  blue-rocket-elect
 brcs045n08shbd.pdf pdf_icon

BRCS045N10SHBD

 6.2. Size:1949K  blue-rocket-elect
 brcs045n08shra.pdf pdf_icon

BRCS045N10SHBD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRCS035N08SHRA, BRCS035N08SHZC, BRCS035N10SHBD, BRCS035N10SHZC, BRCS040N02DP, BRCS040N03DP, BRCS045N08SHBD, BRCS045N08SHRA, 2N7000, BRCS045N10SHRA, BRCS050N03DP, BRCS050N03DSC, BRCS050N03YB, BRCS050N03ZC, BRCS050N04BD, BRCS050N04RA, BRCS050N04YB