FQD18N20V2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQD18N20V2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQD18N20V2

FQD18N20V2 Datasheet (PDF)

..1. Size:748K fairchild semi
fqd18n20v2tf fqd18n20v2tm fqd18n20v2 fqu18n20v2.pdf

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0.1. Size:846K cn vbsemi
fqd18n20v2tm.pdf

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Liste

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