FQD18N20V2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQD18N20V2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
Búsqueda de reemplazo de FQD18N20V2 MOSFET
FQD18N20V2 Datasheet (PDF)
fqd18n20v2tf fqd18n20v2tm fqd18n20v2 fqu18n20v2.pdf
January 2009QFETFQD18N20V2 / FQU18N20V2200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 15A, 200V, RDS(on) = 0.14 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 20 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been espec
fqd18n20v2tm.pdf
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Liste
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