FQD18N20V2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQD18N20V2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.14 Ohm
Тип корпуса: TO252_DPAK
Аналог (замена) для FQD18N20V2
FQD18N20V2 Datasheet (PDF)
1.1. fqd18n20v2 fqu18n20v2.pdf 
Size:748K _fairchild_semi
January 2009 QFET FQD18N20V2 / FQU18N20V2 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 15A, 200V, RDS(on) = 0.14? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 20 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been especially tailored
Другие MOSFET... FQD13N06L , FQD13N10 , NDS8434 , FQD13N10L , MTD3055V , FQD16N25C , FQD17N08L , FQD17P06 , IRFP4232 , MTD3055VL , FQD19N10 , FQA24N50 , FQD19N10L , FQP6N70 , FQD1N60C , FQP50N06 , FQD1N80 .
