BRCS080N02RA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRCS080N02RA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Encapsulados: TO-220
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BRCS080N02RA datasheet
brcs080n02ra.pdf
BRCS080N02RA Rev.A Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching. / Applications Power switching application,Load switching,Uninterruptible po
brcs080n02zb.pdf
BRCS080N02ZB Rev.C Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions DFN3 3A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN3 3A-8L Plastic Package. / Features V (V) = 20V I = 43A (V = 12V) DS D GS R DS(ON)@10V 10mR(Typ.8.0mR) R DS(ON)@4.5V 11mR(Typ.9.5mR) R DS(ON)@2.5V 16mR(Typ.14mR) HF Pr
brcs080n03yb.pdf
BRCS080N03YB Rev.A Mar.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN 3 3A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 3 3A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID =30 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 9mR(Typ.8mR) HF Product. / Applications DC/DC
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