MTD3055VL Todos los transistores

 

MTD3055VL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTD3055VL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO252 DPAK

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MTD3055VL datasheet

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MTD3055VL

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTD3055VL/D Designer's Data Sheet MTD3055VL TMOS V Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 12 AMPERES 60 VOLTS TMOS V is a new technology designed to achieve an on resis- RDS(on) = 0.18 OHM tance area product about o

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MTD3055VL

August 1999 DISTRIBUTION GROUP* MTD3055VL N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features DS(ON) GS

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTD3055VL/D Designer's Data Sheet MTD3055VL TMOS V Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 12 AMPERES 60 VOLTS TMOS V is a new technology designed to achieve an on resis- RDS(on) = 0.18 OHM tance area product about o

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MTD3055VL

Otros transistores... FQD13N10 , NDS8434 , FQD13N10L , MTD3055V , FQD16N25C , FQD17N08L , FQD17P06 , FQD18N20V2 , TK10A60D , FQD19N10 , FQA24N50 , FQD19N10L , FQP6N70 , FQD1N60C , FQP50N06 , FQD1N80 , FQA28N50 .

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