MTD3055VL Todos los transistores

 

MTD3055VL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTD3055VL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.1 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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MTD3055VL Datasheet (PDF)

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MTD3055VL

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD3055VL/DDesigner's Data SheetMTD3055VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FET NChannel EnhancementMode Silicon Gate 12 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-RDS(on) = 0.18 OHMtance area product about o

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August 1999DISTRIBUTION GROUP*MTD3055VLN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeatures DS(ON) GS

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History: IRF520A | HAT1043M

 

 
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