MTD3055VL Todos los transistores

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MTD3055VL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTD3055VL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 48 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252_DPAK

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MTD3055VL Datasheet (PDF)

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MTD3055VL
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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTD3055VL/D Designer's? Data Sheet MTD3055VL TMOS V Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount TMOS POWER FET NChannel EnhancementMode Silicon Gate 12 AMPERES 60 VOLTS TMOS V is a new technology designed to achieve an onresis- RDS(on) = 0.18 OHM tance area product about onehalf tha

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MTD3055VL
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August 1999 DISTRIBUTION GROUP* MTD3055VL N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features DS(ON) Ω GS

Otros transistores... FQD13N10 , NDS8434 , FQD13N10L , MTD3055V , FQD16N25C , FQD17N08L , FQD17P06 , FQD18N20V2 , 2SK170 , FQD19N10 , FQA24N50 , FQD19N10L , FQP6N70 , FQD1N60C , FQP50N06 , FQD1N80 , FQA28N50 .

 


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