Справочник MOSFET. MTD3055VL

 

MTD3055VL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTD3055VL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTD3055VL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  motorola
mtd3055vl.pdfpdf_icon

MTD3055VL

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD3055VL/DDesigner's Data SheetMTD3055VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FET NChannel EnhancementMode Silicon Gate 12 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-RDS(on) = 0.18 OHMtance area product about o

 ..2. Size:179K  fairchild semi
mtd3055vl.pdfpdf_icon

MTD3055VL

August 1999DISTRIBUTION GROUP*MTD3055VLN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeatures DS(ON) GS

 0.1. Size:209K  motorola
mtd3055vlrev2a.pdfpdf_icon

MTD3055VL

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD3055VL/DDesigner's Data SheetMTD3055VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FET NChannel EnhancementMode Silicon Gate 12 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-RDS(on) = 0.18 OHMtance area product about o

 6.1. Size:206K  motorola
mtd3055vrev2a.pdfpdf_icon

MTD3055VL

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD3055V/DDesigner's Data SheetMTD3055VTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 12 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-RDS(on) = 0.15 OHMtance area product about one

Другие MOSFET... FQD13N10 , NDS8434 , FQD13N10L , MTD3055V , FQD16N25C , FQD17N08L , FQD17P06 , FQD18N20V2 , 4435 , FQD19N10 , FQA24N50 , FQD19N10L , FQP6N70 , FQD1N60C , FQP50N06 , FQD1N80 , FQA28N50 .

History: SFG014N100BC3 | VMM90-09F | STP5NB40 | BUZ80AFI | 2N7002KT | RJK2076DPA | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.