MTD3055VL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTD3055VL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MTD3055VL Datasheet (PDF)
mtd3055vl.pdf

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD3055VL/DDesigner's Data SheetMTD3055VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FET NChannel EnhancementMode Silicon Gate 12 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-RDS(on) = 0.18 OHMtance area product about o
mtd3055vl.pdf

August 1999DISTRIBUTION GROUP*MTD3055VLN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeatures DS(ON) GS
mtd3055vlrev2a.pdf

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD3055VL/DDesigner's Data SheetMTD3055VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FET NChannel EnhancementMode Silicon Gate 12 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-RDS(on) = 0.18 OHMtance area product about o
mtd3055vrev2a.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD3055V/DDesigner's Data SheetMTD3055VTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 12 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-RDS(on) = 0.15 OHMtance area product about one
Другие MOSFET... FQD13N10 , NDS8434 , FQD13N10L , MTD3055V , FQD16N25C , FQD17N08L , FQD17P06 , FQD18N20V2 , 4435 , FQD19N10 , FQA24N50 , FQD19N10L , FQP6N70 , FQD1N60C , FQP50N06 , FQD1N80 , FQA28N50 .
History: SFG014N100BC3 | VMM90-09F | STP5NB40 | BUZ80AFI | 2N7002KT | RJK2076DPA | 2SK3532
History: SFG014N100BC3 | VMM90-09F | STP5NB40 | BUZ80AFI | 2N7002KT | RJK2076DPA | 2SK3532



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor