FQD19N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQD19N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
Búsqueda de reemplazo de FQD19N10 MOSFET
FQD19N10 Datasheet (PDF)
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January 2009QFETFQD19N10 / FQU19N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 15.6A, 100V, RDS(on) = 0.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 32 pF)This advanced technology has been especial
fqd19n10ltf fqd19n10ltm fqd19n10l fqu19n10l.pdf

January 2009QFETFQD19N10L / FQU19N10L100V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 15.6A, 100V, RDS(on) = 0.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 14 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been
fqd19n10l.pdf

FQD19N10Lwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature1000.11 4 at VGS = 10 V15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .



Liste
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