FQD19N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQD19N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO252_DPAK
FQD19N10 Datasheet (PDF)
1.1. fqd19n10l fqu19n10l.pdf 
Size:688K _fairchild_semi
January 2009 QFET FQD19N10L / FQU19N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 15.6A, 100V, RDS(on) = 0.1? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 14 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been especially tai
1.2. fqd19n10 fqu19n10.pdf Size:678K _fairchild_semi
January 2009 QFET FQD19N10 / FQU19N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 15.6A, 100V, RDS(on) = 0.1? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 32 pF) This advanced technology has been especially tailored to
Другие MOSFET... NDS8434 , FQD13N10L , MTD3055V , FQD16N25C , FQD17N08L , FQD17P06 , FQD18N20V2 , MTD3055VL , IRF1010E , FQA24N50 , FQD19N10L , FQP6N70 , FQD1N60C , FQP50N06 , FQD1N80 , FQA28N50 , FQD20N06 .
