BRCS120N10SZC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS120N10SZC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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BRCS120N10SZC datasheet

 ..1. Size:1112K  blue-rocket-elect
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BRCS120N10SZC

BRCS120N10SZC Rev.A Jun.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN5*6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5*6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance, H

 6.1. Size:1299K  blue-rocket-elect
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BRCS120N10SZC

BRCS120N03YA Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN3 3-8L N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a PDFN3 3-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID =24A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 13mR(Typ.11mR) HF Product. / Applications Intended for use in g

 6.2. Size:576K  blue-rocket-elect
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BRCS120N10SZC

BRCS120N02ZJ Rev.A Aug.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN 2*2B-6L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2*2B-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = 20V ID = 8 A (VGS = 20V) HF Product. / Applications DC/DC

 6.3. Size:693K  blue-rocket-elect
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BRCS120N10SZC

Otros transistores... BRCS120N03DP, BRCS120N03YA, BRCS120N03YB, BRCS120N03ZB, BRCS120N06HA, BRCS120N06SRA, BRCS120N06SYM, BRCS120N06YB, IRF9640, BRCS120P012MC, BRCS120P012ZJ, BRCS120P03YB, BRCS120P03ZC, BRCS120P04DP, BRCS120P04YB, BRCS120P04ZC, BRCS12N65BD