BRCS200N10SZC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRCS200N10SZC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS200N10SZC
BRCS200N10SZC Datasheet (PDF)
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BRCS200N10SZC Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN 56 N N-Channel MOSFET in a PDFN 56 Plastic Package . / Features VDS (V) = 100V ID =28A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V20mR(Typ.18mR) HF Product. / Applications DC/DC AC/DC DC/DC
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BRCS200N04ZB Rev.B Jun.-2021 DATA SHEET / Descriptions DFN 3*3A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 3*3A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 40V ID = 12 A (VGS = 20V) HF Product. / Applications DC/DC
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BRCS200N04DSC Rev.A May.-2020 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N Power Trench MOS Dual N-Channel Power Trench MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features Low RDS(ON),Low gate charge, use for a wide range of power conversion applications
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BRCS200N03YN Rev.A Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 22C-6L N+N MOS Double N+N-CHANNEL MOSFET in a DFN 22C-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID = 6.3A (VGS = 20V) HF Product. / Applications Battery protection swit
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BRCS200N04YA Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN33-8L N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a PDFN33-8L Plastic Package. / Features V =40V I =19A DS DRDS(ON)@10V
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Liste
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