BRCS200N10SZC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRCS200N10SZC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6
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BRCS200N10SZC datasheet
brcs200n04dsc.pdf
BRCS200N04DSC Rev.A May.-2020 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N Power Trench MOS Dual N-Channel Power Trench MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features Low RDS(ON),Low gate charge, use for a wide range of power conversion applications
brcs200n03yn.pdf
BRCS200N03YN Rev.A Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 2 2C-6L N+N MOS Double N+N-CHANNEL MOSFET in a DFN 2 2C-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID = 6.3A (VGS = 20V) HF Product. / Applications Battery protection swit
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