BRCS200N10SZC - описание и поиск аналогов

 

BRCS200N10SZC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS200N10SZC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для BRCS200N10SZC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS200N10SZC даташит

 ..1. Size:1383K  blue-rocket-elect
 brcs200n10szc.pdf pdf_icon

BRCS200N10SZC

 6.1. Size:645K  blue-rocket-elect
 brcs200n04zb.pdf pdf_icon

BRCS200N10SZC

 6.2. Size:864K  blue-rocket-elect
 brcs200n04dsc.pdf pdf_icon

BRCS200N10SZC

BRCS200N04DSC Rev.A May.-2020 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N Power Trench MOS Dual N-Channel Power Trench MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features Low RDS(ON),Low gate charge, use for a wide range of power conversion applications

 6.3. Size:1176K  blue-rocket-elect
 brcs200n03yn.pdf pdf_icon

BRCS200N10SZC

BRCS200N03YN Rev.A Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 2 2C-6L N+N MOS Double N+N-CHANNEL MOSFET in a DFN 2 2C-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID = 6.3A (VGS = 20V) HF Product. / Applications Battery protection swit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BRCS18N20RA , BRCS1C0P06DSC , BRCS1C5P06MA , BRCS1C5P06MF , BRCS200N03YN , BRCS200N04DSC , BRCS200N04YA , BRCS200N04ZB , 10N60 , BRCS200P012MC , BRCS200P012MF , BRCS200P012ZJ , BRCS200P02MC , BRCS200P02YA , BRCS200P02ZJ , BRCS200P03DP , BRCS200P03DSC .

History: SVD540F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.