BRCS500P10DP Todos los transistores

 

BRCS500P10DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS500P10DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: TO-252

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BRCS500P10DP datasheet

 ..1. Size:2033K  blue-rocket-elect
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BRCS500P10DP

BRCS500P10DP Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V I =-28A D RDS(ON)@-10V

 4.1. Size:2054K  blue-rocket-elect
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BRCS500P10DP

BRCS500P10ZC Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N MOS P-CHANNEL MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V I =-29A D RDS(ON)@-10V

 8.1. Size:932K  blue-rocket-elect
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BRCS500P10DP

BRCS50N06BD Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions N TO-263 N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications

 8.2. Size:906K  blue-rocket-elect
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BRCS500P10DP

BRCS50N06RA Rev.A Sep.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-220 N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies. Halogen-free Product. / Applications

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History: PSMN6R3-120ES | BRCS500P10ZC | MS5N50

 

 

 

 

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