BRCS500P10DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRCS500P10DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS500P10DP
BRCS500P10DP Datasheet (PDF)
brcs500p10dp.pdf
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brcs500p10zc.pdf
BRCS500P10ZC Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 N MOS P-CHANNEL MOSFET in a PDFN56 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V I =-29A DRDS(ON)@-10V
brcs50n06bd.pdf
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BRCS50N06RA Rev.A Sep.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-220 N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies. Halogen-free Product. / Applications
brcs50n06dp.pdf
BRCS50N06DP Rev.B Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications
brcs50n06ip.pdf
BRCS50N06IP Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies, HF Product. / Applications
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Liste
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