BRCS500P10DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRCS500P10DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 85 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 28 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 5.9 nC
Tiempo de subida (tr): 2.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1350 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS500P10DP
BRCS500P10DP Datasheet (PDF)
brcs500p10dp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS500P10DP Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V I =-28A DRDS(ON)@-10V
brcs500p10zc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS500P10ZC Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 N MOS P-CHANNEL MOSFET in a PDFN56 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V I =-29A DRDS(ON)@-10V
brcs50n06bd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS50N06BD Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions N TO-263 N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications
brcs50n06ra.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS50N06RA Rev.A Sep.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-220 N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies. Halogen-free Product. / Applications
brcs50n06dp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS50N06DP Rev.B Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications
brcs50n06ip.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS50N06IP Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies, HF Product. / Applications
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
![BRCS500P10DP](https://alltransistors.com/images/us.png)
![BRCS500P10DP](https://alltransistors.com/images/es.png)
![BRCS500P10DP](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C