BRCS500P10DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BRCS500P10DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.9 nC
Время нарастания (tr): 2.4 ns
Выходная емкость (Cd): 1350 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для BRCS500P10DP
BRCS500P10DP Datasheet (PDF)
brcs500p10dp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS500P10DP Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V I =-28A DRDS(ON)@-10V
brcs500p10zc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS500P10ZC Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 N MOS P-CHANNEL MOSFET in a PDFN56 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V I =-29A DRDS(ON)@-10V
brcs50n06bd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS50N06BD Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions N TO-263 N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications
brcs50n06ra.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS50N06RA Rev.A Sep.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-220 N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies. Halogen-free Product. / Applications
brcs50n06dp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS50N06DP Rev.B Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications
brcs50n06ip.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS50N06IP Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies, HF Product. / Applications
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![BRCS500P10DP](https://alltransistors.com/images/us.png)
![BRCS500P10DP](https://alltransistors.com/images/es.png)
![BRCS500P10DP](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C