BRCS60N02DP Todos los transistores

 

BRCS60N02DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS60N02DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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BRCS60N02DP Datasheet (PDF)

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BRCS60N02DP

BRCS60N02DP Rev.A Apr.-2019 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. Halogen-free Product. / Applications

 9.1. Size:1651K  blue-rocket-elect
 brcs630fa.pdf pdf_icon

BRCS60N02DP

BRCS630FA Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features V =200VI =9A DS DRDS(on)@10V0.4(Type.0.35) HF Product. / Applications LED Networking,Load Switch,LED applications.

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