BRCS60N02DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRCS60N02DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для BRCS60N02DP
BRCS60N02DP Datasheet (PDF)
brcs60n02dp.pdf

BRCS60N02DP Rev.A Apr.-2019 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. Halogen-free Product. / Applications
brcs630fa.pdf

BRCS630FA Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features V =200VI =9A DS DRDS(on)@10V0.4(Type.0.35) HF Product. / Applications LED Networking,Load Switch,LED applications.
Другие MOSFET... BRCS500P10ZC , BRCS50N06BD , BRCS50N06DP , BRCS50N06IP , BRCS50N06RA , BRCS5N50YU , BRCS5P06MC , BRCS5P06MF , IRF3205 , BRCS630FA , BRCS700P10DP , BRCS800P06SC , BRCS900N10SYM , BRCS900P10DP , BRCS90P03DP , BRCS9N20YU , BRD4N65S .
History: IRF1010EZS | AUIRF1010EZS
History: IRF1010EZS | AUIRF1010EZS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLU4N65U | SLT70R180E7C | SLT65R180E7C | SLP730S | SLP65R380E7C | SLP65R1K2E7 | SLP65R180E7C | SLM160N04G | SLM150N04G | SLM120N06G | SLF8N65SV | SLF80R830GT | SLF70R380E7C | SLF70R280E7C | SLF65R600E7C | SLF65R380E7C
Popular searches
2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a