BRCS60N02DP - описание и поиск аналогов

 

BRCS60N02DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS60N02DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRCS60N02DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS60N02DP даташит

 ..1. Size:844K  blue-rocket-elect
 brcs60n02dp.pdf pdf_icon

BRCS60N02DP

 9.1. Size:1651K  blue-rocket-elect
 brcs630fa.pdf pdf_icon

BRCS60N02DP

BRCS630FA Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features V =200V I =9A DS D R DS(on)@10V 0.4 (Type.0.35 ) HF Product. / Applications LED Networking,Load Switch,LED applications.

Другие MOSFET... BRCS500P10ZC , BRCS50N06BD , BRCS50N06DP , BRCS50N06IP , BRCS50N06RA , BRCS5N50YU , BRCS5P06MC , BRCS5P06MF , IRF3205 , BRCS630FA , BRCS700P10DP , BRCS800P06SC , BRCS900N10SYM , BRCS900P10DP , BRCS90P03DP , BRCS9N20YU , BRD4N65S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.