BRCS700P10DP Todos los transistores

 

BRCS700P10DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS700P10DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 840 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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BRCS700P10DP Datasheet (PDF)

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BRCS700P10DP

BRCS700P10DP Rev.C Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V I =-22A DRDS(ON)@-10V

 7.1. Size:739K  blue-rocket-elect
 brcs7002k2zk.pdf pdf_icon

BRCS700P10DP

BRCS7002K2ZK Rev.A Jul.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN1006-3L-0.5 N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 1006-3L Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protect

 8.1. Size:798K  blue-rocket-elect
 brcs70n08ip.pdf pdf_icon

BRCS700P10DP

BRCS70N08IP Rev.A Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effici

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History: SSM3K335 | HYG067N07NQ1P | NTTFS5820NLTAG | SUN0460F | MTB5D0P03Q8 | MTB5D0P03J3 | MTB60P15H8

 

 
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