Справочник MOSFET. BRCS700P10DP

 

BRCS700P10DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRCS700P10DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS700P10DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2099K  blue-rocket-elect
 brcs700p10dp.pdf pdf_icon

BRCS700P10DP

BRCS700P10DP Rev.C Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V I =-22A DRDS(ON)@-10V

 7.1. Size:739K  blue-rocket-elect
 brcs7002k2zk.pdf pdf_icon

BRCS700P10DP

BRCS7002K2ZK Rev.A Jul.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN1006-3L-0.5 N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 1006-3L Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protect

 8.1. Size:798K  blue-rocket-elect
 brcs70n08ip.pdf pdf_icon

BRCS700P10DP

BRCS70N08IP Rev.A Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effici

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IPA50R299CP | CS8N60P | SQ3426EEV | STL65N3LLH5

 

 
Back to Top

 


 
.