BRCS700P10DP - описание и поиск аналогов

 

BRCS700P10DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS700P10DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRCS700P10DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS700P10DP даташит

 ..1. Size:2099K  blue-rocket-elect
 brcs700p10dp.pdf pdf_icon

BRCS700P10DP

BRCS700P10DP Rev.C Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V I =-22A D RDS(ON)@-10V

 7.1. Size:739K  blue-rocket-elect
 brcs7002k2zk.pdf pdf_icon

BRCS700P10DP

BRCS7002K2ZK Rev.A Jul.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN1006-3L-0.5 N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 1006-3L Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protect

 8.1. Size:798K  blue-rocket-elect
 brcs70n08ip.pdf pdf_icon

BRCS700P10DP

BRCS70N08IP Rev.A Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effici

Другие MOSFET... BRCS50N06DP , BRCS50N06IP , BRCS50N06RA , BRCS5N50YU , BRCS5P06MC , BRCS5P06MF , BRCS60N02DP , BRCS630FA , IRF840 , BRCS800P06SC , BRCS900N10SYM , BRCS900P10DP , BRCS90P03DP , BRCS9N20YU , BRD4N65S , BRD5N20 , BRD5N65 .

History: 2SK2533

 

 

 

 

↑ Back to Top
.