BRD7N65S Todos los transistores

 

BRD7N65S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRD7N65S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-252

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BRD7N65S datasheet

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BRD7N65S

BRD7N65S Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , , Low gate charge, low crss, fast switching,HF Product. Have good Electromagnetic Interference porfo

 7.1. Size:657K  blue-rocket-elect
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BRD7N65S

BRD7N65 Rev.B Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , , Low gate charge, low crss, fast switching. Halogen-free Product,HF Product. / Applications DC/DC Thes

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BRD7N65S

BRD7N60 Rev.E Feb.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features 600V MOSFET, , , 600V Enhanced Power MOSFET, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications

Otros transistores... BRD65R280C , BRD65R380C , BRD65R600C , BRD65R650C , BRD7002K1 , BRD7002K2 , BRD7N60 , BRD7N65 , 2N7000 , BRF4N65S , BRF4N70 , BRF5N50 , BRF60R580C , BRF65R280C , BRF65R380C , BRF65R650C , BRFL10N65S .

History: FQD3N60CTMWS | FQB9P25 | LSNC65R180HT | ELM53401CA

 

 

 

 

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