Справочник MOSFET. BRD7N65S

 

BRD7N65S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRD7N65S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD7N65S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1095K  blue-rocket-elect
 brd7n65s.pdf pdf_icon

BRD7N65S

BRD7N65S Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching,HF Product. Have good Electromagnetic Interference porfo

 7.1. Size:657K  blue-rocket-elect
 brd7n65.pdf pdf_icon

BRD7N65S

BRD7N65 Rev.B Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching. Halogen-free Product,HF Product. / Applications DC/DC Thes

 8.1. Size:1016K  blue-rocket-elect
 brd7n60.pdf pdf_icon

BRD7N65S

BRD7N60 Rev.E Feb.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features 600V MOSFET,,,600V Enhanced Power MOSFET, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SED10070GG | VSE002N03MS-G | 2SK1506 | 2SK3430-ZJ | STB140NF75-1 | IRFS9N60APBF | R6535KNZ1

 

 
Back to Top

 


 
.