Справочник MOSFET. BRD7N65S

 

BRD7N65S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRD7N65S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для BRD7N65S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD7N65S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1095K  blue-rocket-elect
 brd7n65s.pdf pdf_icon

BRD7N65S

BRD7N65S Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching,HF Product. Have good Electromagnetic Interference porfo

 7.1. Size:657K  blue-rocket-elect
 brd7n65.pdf pdf_icon

BRD7N65S

BRD7N65 Rev.B Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching. Halogen-free Product,HF Product. / Applications DC/DC Thes

 8.1. Size:1016K  blue-rocket-elect
 brd7n60.pdf pdf_icon

BRD7N65S

BRD7N60 Rev.E Feb.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features 600V MOSFET,,,600V Enhanced Power MOSFET, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications

Другие MOSFET... BRD65R280C , BRD65R380C , BRD65R600C , BRD65R650C , BRD7002K1 , BRD7002K2 , BRD7N60 , BRD7N65 , IRF9540 , BRF4N65S , BRF4N70 , BRF5N50 , BRF60R580C , BRF65R280C , BRF65R380C , BRF65R650C , BRFL10N65S .

 

 
Back to Top

 


 
.