BRF60R580C Todos los transistores

 

BRF60R580C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRF60R580C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de BRF60R580C MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BRF60R580C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1056K  blue-rocket-elect
 brf60r580c.pdf pdf_icon

BRF60R580C

BRF60R580C Rev.A Nov.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 600V N-CHANNEL 600V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC

Otros transistores... BRD7002K1 , BRD7002K2 , BRD7N60 , BRD7N65 , BRD7N65S , BRF4N65S , BRF4N70 , BRF5N50 , STP75NF75 , BRF65R280C , BRF65R380C , BRF65R650C , BRFL10N65S , BRFL12N65S , BRFL13N50 , BRFL15N50 , BRFL20N50 .

History: 2SK2637 | DG2N65-252 | RU40190S | FQD50N06 | BVSS123LT1G | SK840319

 

 
Back to Top

 


 
.