Справочник MOSFET. BRF60R580C

 

BRF60R580C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRF60R580C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для BRF60R580C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF60R580C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1056K  blue-rocket-elect
 brf60r580c.pdf pdf_icon

BRF60R580C

BRF60R580C Rev.A Nov.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 600V N-CHANNEL 600V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC

Другие MOSFET... BRD7002K1 , BRD7002K2 , BRD7N60 , BRD7N65 , BRD7N65S , BRF4N65S , BRF4N70 , BRF5N50 , AON7408 , BRF65R280C , BRF65R380C , BRF65R650C , BRFL10N65S , BRFL12N65S , BRFL13N50 , BRFL15N50 , BRFL20N50 .

History: SM4616PRL | IXTH22N50P

 

 
Back to Top

 


 
.