BRGN250N65YK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRGN250N65YK
Tipo de FET: GaN-MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 21 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 18 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.9 V
Carga de la puerta (Qg): 9.5 nC
Tiempo de subida (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 16 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN8X8-3L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRGN250N65YK
BRGN250N65YK Datasheet (PDF)
brgn250n65yk.pdf
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BRGN250N65YK Rev.B Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN88-3L 650V GaN 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor in a DFN88-3L Plastic Package . / Features Low R to minimize conductive lossLow gate cha
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