BRGN250N65YK Todos los transistores

 

BRGN250N65YK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRGN250N65YK
   Tipo de FET: GaN-MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8X8-3L
 

 Búsqueda de reemplazo de BRGN250N65YK MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BRGN250N65YK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  blue-rocket-elect
 brgn250n65yk.pdf pdf_icon

BRGN250N65YK

BRGN250N65YK Rev.B Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN88-3L 650V GaN 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor in a DFN88-3L Plastic Package . / Features Low R to minimize conductive lossLow gate cha

Otros transistores... BRFL24N50 , BRFL4N65S , BRFL60R190C , BRFL65R160C , BRFL65R380C , BRFL70R360C , BRFL7N65S , BRFL8N65 , 5N60 , BRI2N70 , BRI4N70 , BRI50N06 , BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.