Справочник MOSFET. BRGN250N65YK

 

BRGN250N65YK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRGN250N65YK
   Тип транзистора: GaN-MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8-3L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRGN250N65YK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  blue-rocket-elect
 brgn250n65yk.pdf pdf_icon

BRGN250N65YK

BRGN250N65YK Rev.B Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN88-3L 650V GaN 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor in a DFN88-3L Plastic Package . / Features Low R to minimize conductive lossLow gate cha

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP9410AGM | NVMFS5C442N | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | MMBF170L

 

 
Back to Top

 


 
.