Справочник MOSFET. BRGN250N65YK

 

BRGN250N65YK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BRGN250N65YK
   Тип транзистора: GaN-MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 21 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 18 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9.5 nC
   Время нарастания (tr): 4 ns
   Выходная емкость (Cd): 16 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8-3L

 Аналог (замена) для BRGN250N65YK

 

 

BRGN250N65YK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  blue-rocket-elect
 brgn250n65yk.pdf

BRGN250N65YK BRGN250N65YK

BRGN250N65YK Rev.B Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN88-3L 650V GaN 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor in a DFN88-3L Plastic Package . / Features Low R to minimize conductive lossLow gate cha

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top