BRGN250N65YK - описание и поиск аналогов

 

BRGN250N65YK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRGN250N65YK

Тип транзистора: GaN-MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 18 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8-3L

Аналог (замена) для BRGN250N65YK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRGN250N65YK даташит

 ..1. Size:495K  blue-rocket-elect
 brgn250n65yk.pdf pdf_icon

BRGN250N65YK

BRGN250N65YK Rev.B Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN8 8-3L 650V GaN 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor in a DFN8 8-3L Plastic Package . / Features Low R to minimize conductive loss Low gate cha

Другие MOSFET... BRFL24N50 , BRFL4N65S , BRFL60R190C , BRFL65R160C , BRFL65R380C , BRFL70R360C , BRFL7N65S , BRFL8N65 , AON7410 , BRI2N70 , BRI4N70 , BRI50N06 , BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 .

History: SIS376DN | 2SK3111 | MMN400A006U1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.