Справочник MOSFET. BRGN250N65YK

 

BRGN250N65YK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRGN250N65YK
   Тип транзистора: GaN-MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8-3L
 

 Аналог (замена) для BRGN250N65YK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRGN250N65YK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  blue-rocket-elect
 brgn250n65yk.pdf pdf_icon

BRGN250N65YK

BRGN250N65YK Rev.B Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN88-3L 650V GaN 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor in a DFN88-3L Plastic Package . / Features Low R to minimize conductive lossLow gate cha

Другие MOSFET... BRFL24N50 , BRFL4N65S , BRFL60R190C , BRFL65R160C , BRFL65R380C , BRFL70R360C , BRFL7N65S , BRFL8N65 , RFP50N06 , BRI2N70 , BRI4N70 , BRI50N06 , BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 .

History: JCS7HN60R | FHD80N07A

 

 
Back to Top

 


 
.