BRU26N50 Todos los transistores

 

BRU26N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRU26N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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BRU26N50 Datasheet (PDF)

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BRU26N50

BRU26N50 Rev.A May.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-3P N MOSN-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package. / Features 10010V0.24 RDS(ON)=0.24 @ VGS=10VHigh Switching Speed100% Avalanche Tested. / Applications

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History: JMSH0606PGDQ | AO3401MI-MS | WMJ36N60C4 | AOSX32128 | BSB053N03LPG | AONP38324

 

 
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