Справочник MOSFET. BRU26N50

 

BRU26N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRU26N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для BRU26N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRU26N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1404K  blue-rocket-elect
 bru26n50.pdf pdf_icon

BRU26N50

BRU26N50 Rev.A May.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-3P N MOSN-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package. / Features 10010V0.24 RDS(ON)=0.24 @ VGS=10VHigh Switching Speed100% Avalanche Tested. / Applications

Другие MOSFET... BRI4N70 , BRI50N06 , BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 , BRU24N50 , 20N50 , BSS123K2 , RU12N65P , RU13N65R , RU15P12C , RU17P12C , RU17P6C , RU18N65P , RU205C .

History: LNE06R079 | IRFPG40 | SQM85N10-10 | PTP20N65A | SQM50P04-09L | IRLR3714Z | FQA11N90-F109

 

 
Back to Top

 


 
.