RU12N65P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU12N65P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 252 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de RU12N65P MOSFET
RU12N65P Datasheet (PDF)
ru12n65p.pdf

RU12N65PN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/12A, RDS (ON) =650m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220FDDDDDApplications Dpp D AC/DC Power Conversion
Otros transistores... BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , IRFZ24N , RU13N65R , RU15P12C , RU17P12C , RU17P6C , RU18N65P , RU205C , RU2060L , RU20N65P .
History: 2N7288H | SQM85N10-10 | NCE65NF130D | STD13N65M2 | NCEP026N85D | SVD640STR | YJQ55P02A
History: 2N7288H | SQM85N10-10 | NCE65NF130D | STD13N65M2 | NCEP026N85D | SVD640STR | YJQ55P02A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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