RU12N65P - описание и поиск аналогов

 

RU12N65P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU12N65P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 252 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для RU12N65P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU12N65P даташит

 ..1. Size:403K  ruichips
 ru12n65p.pdf pdf_icon

RU12N65P

RU12N65P N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 650V/12A, RDS (ON) =650m (Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GD S TO220F D D D D D Applications D pp D AC/DC Power Conversion

Другие MOSFET... BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , TK10A60D , RU13N65R , RU15P12C , RU17P12C , RU17P6C , RU18N65P , RU205C , RU2060L , RU20N65P .

History: BSC0805LS | SW4N70B | AOWF14N50

 

 

 

 

↑ Back to Top
.