RU13N65R Todos los transistores

 

RU13N65R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU13N65R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 132 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 252 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de RU13N65R MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RU13N65R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  ruichips
 ru13n65r.pdf pdf_icon

RU13N65R

RU13N65RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/13A, RDS (ON) =650m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DDDDDApplications Dpp D AC/DC Power Conversion i

Otros transistores... BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , AO4407 , RU15P12C , RU17P12C , RU17P6C , RU18N65P , RU205C , RU2060L , RU20N65P , RU20N65R .

History: SLP8N60C | MDE1991RH | 2SJ669 | SLF8N60C | SWN4N65D | 2SJ618 | FTW20N50A

 

 
Back to Top

 


 
.