RU13N65R Todos los transistores

 

RU13N65R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU13N65R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 132 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 252 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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RU13N65R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  ruichips
 ru13n65r.pdf pdf_icon

RU13N65R

RU13N65RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/13A, RDS (ON) =650m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DDDDDApplications Dpp D AC/DC Power Conversion i

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History: MSAFX11P50A | IPP80CN10N | NCEP40T11G | ME20P03-G | IRFPS35N50LPBF | SSF1331P | VB5222

 

 
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