Справочник MOSFET. RU13N65R

 

RU13N65R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU13N65R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 132 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 252 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для RU13N65R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU13N65R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  ruichips
 ru13n65r.pdf pdf_icon

RU13N65R

RU13N65RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/13A, RDS (ON) =650m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DDDDDApplications Dpp D AC/DC Power Conversion i

Другие MOSFET... BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , P60NF06 , RU15P12C , RU17P12C , RU17P6C , RU18N65P , RU205C , RU2060L , RU20N65P , RU20N65R .

History: SI7454CDP | NCEP40T11G

 

 
Back to Top

 


 
.