RU13N65R - описание и поиск аналогов

 

RU13N65R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU13N65R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 132 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 252 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для RU13N65R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU13N65R даташит

 ..1. Size:421K  ruichips
 ru13n65r.pdf pdf_icon

RU13N65R

RU13N65R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 650V/13A, RDS (ON) =650m (Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G DS TO220 D D D D D Applications D pp D AC/DC Power Conversion i

Другие MOSFET... BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , AO4407 , RU15P12C , RU17P12C , RU17P6C , RU18N65P , RU205C , RU2060L , RU20N65P , RU20N65R .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.