RU15P12C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU15P12C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de RU15P12C MOSFET
RU15P12C Datasheet (PDF)
ru15p12c.pdf

RU15P12CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -15V/-12A, RDS (ON) =16m(Typ.)@VGS=-4.5VD RDS (ON) =25m(Typ.)@VGS=-2.5V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Very Fast SwitchingV F t S it hi Low Threshold VoltageG Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)SSOT23-3DDDDDDppApplicat
Otros transistores... BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , RU13N65R , 18N50 , RU17P12C , RU17P6C , RU18N65P , RU205C , RU2060L , RU20N65P , RU20N65R , RU20P3C .
History: GWM180-004X2-SMD | IRFSL7762 | NCEP095N10AG | IRFH5250DPBF | VTI640F | TK150E09NE | NTGD4169FT1G
History: GWM180-004X2-SMD | IRFSL7762 | NCEP095N10AG | IRFH5250DPBF | VTI640F | TK150E09NE | NTGD4169FT1G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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