RU15P12C Todos los transistores

 

RU15P12C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU15P12C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RU15P12C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  ruichips
 ru15p12c.pdf pdf_icon

RU15P12C

RU15P12CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -15V/-12A, RDS (ON) =16m(Typ.)@VGS=-4.5VD RDS (ON) =25m(Typ.)@VGS=-2.5V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Very Fast SwitchingV F t S it hi Low Threshold VoltageG Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)SSOT23-3DDDDDDppApplicat

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History: 2SK3681 | SM32314D1RL

 

 
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