RU15P12C - описание и поиск аналогов

 

RU15P12C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU15P12C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 15 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для RU15P12C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU15P12C даташит

 ..1. Size:371K  ruichips
 ru15p12c.pdf pdf_icon

RU15P12C

RU15P12C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -15V/-12A, RDS (ON) =16m (Typ.)@VGS=-4.5V D RDS (ON) =25m (Typ.)@VGS=-2.5V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Very Fast Switching V F t S it hi Low Threshold Voltage G Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S SOT23-3 D D D D D D pp Applicat

Другие MOSFET... BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , RU13N65R , BS170 , RU17P12C , RU17P6C , RU18N65P , RU205C , RU2060L , RU20N65P , RU20N65R , RU20P3C .

History: 4N65G-TMS-T | SWF10N65D | IRF7351PBF | SWB640D | EMB12N04V | 4N60G-TN3-R | AP01L60H-HF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.