RU17P12C Todos los transistores

 

RU17P12C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU17P12C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 18 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: SOT23

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RU17P12C datasheet

 ..1. Size:279K  ruichips
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RU17P12C

RU17P12C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -18V/-12A, RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=-4.5V D RDS (ON) =15m (Typ.)@VGS=-2.5V Uses Ruichips Proprietary New TrenchTM Technology Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Low Gate Charge Minimize Switching Loss G Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S SOT23-3 D Applications

 9.1. Size:421K  ruichips
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RU17P12C

RU17P6C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -18V/-6A, RDS (ON) =21m (Typ.)@VGS=-4.5V D RDS (ON) =26m (Typ.)@VGS=-2.5V Uses Ruichips Proprietary New TrenchTM Technology Low On-Resistance E ti l d /dt bilit Exceptional dv/dt capability Low Gate Charge Minimize Switching Loss G Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S SOT23-3 D

Otros transistores... BRI7N60 , BRI7N65 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , RU13N65R , RU15P12C , 4N60 , RU17P6C , RU18N65P , RU205C , RU2060L , RU20N65P , RU20N65R , RU20P3C , RU2N65P .

History: SWD6N80DE | SWD2N60DC | WMQ140NV6LG4

 

 

 

 

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