RU17P12C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU17P12C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU17P12C

RU17P12C Datasheet (PDF)

..1. Size:279K ruichips
ru17p12c.pdf

RU17P12CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -18V/-12A, RDS (ON) =12m(Typ.)@VGS=-4.5VD RDS (ON) =15m(Typ.)@VGS=-2.5V Uses Ruichips Proprietary New TrenchTM Technology Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Low Gate Charge Minimize Switching LossG Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)S SOT23-3DApplications

9.1. Size:421K ruichips
ru17p6c.pdf

RU17P6CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -18V/-6A,RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=-4.5VDRDS (ON) =26m(Typ.)@VGS=-2.5V Uses Ruichips Proprietary New TrenchTM Technology Low On-ResistanceE ti l d /dt bilit Exceptional dv/dt capability Low Gate Charge Minimize Switching LossG Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)SSOT23-3D

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Liste

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