RU17P12C - описание и поиск аналогов

 

RU17P12C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU17P12C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 18 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для RU17P12C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU17P12C даташит

 ..1. Size:279K  ruichips
 ru17p12c.pdf pdf_icon

RU17P12C

RU17P12C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -18V/-12A, RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=-4.5V D RDS (ON) =15m (Typ.)@VGS=-2.5V Uses Ruichips Proprietary New TrenchTM Technology Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Low Gate Charge Minimize Switching Loss G Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S SOT23-3 D Applications

 9.1. Size:421K  ruichips
 ru17p6c.pdf pdf_icon

RU17P12C

RU17P6C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -18V/-6A, RDS (ON) =21m (Typ.)@VGS=-4.5V D RDS (ON) =26m (Typ.)@VGS=-2.5V Uses Ruichips Proprietary New TrenchTM Technology Low On-Resistance E ti l d /dt bilit Exceptional dv/dt capability Low Gate Charge Minimize Switching Loss G Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S SOT23-3 D

Другие MOSFET... BRI7N60 , BRI7N65 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , RU13N65R , RU15P12C , 4N60 , RU17P6C , RU18N65P , RU205C , RU2060L , RU20N65P , RU20N65R , RU20P3C , RU2N65P .

History: AP01L60H-HF | IPP60R180P7 | SUD40N10-25 | 2SJ77 | SSW90R240S2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.