RU17P6C Todos los transistores

 

RU17P6C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU17P6C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 18 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOT23

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RU17P6C datasheet

 ..1. Size:421K  ruichips
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RU17P6C

RU17P6C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -18V/-6A, RDS (ON) =21m (Typ.)@VGS=-4.5V D RDS (ON) =26m (Typ.)@VGS=-2.5V Uses Ruichips Proprietary New TrenchTM Technology Low On-Resistance E ti l d /dt bilit Exceptional dv/dt capability Low Gate Charge Minimize Switching Loss G Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S SOT23-3 D

 9.1. Size:279K  ruichips
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RU17P6C

RU17P12C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -18V/-12A, RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=-4.5V D RDS (ON) =15m (Typ.)@VGS=-2.5V Uses Ruichips Proprietary New TrenchTM Technology Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Low Gate Charge Minimize Switching Loss G Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S SOT23-3 D Applications

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History: SWB12N65D | 2SK1348 | SML20B56 | SSW65R090S2 | AP0103GP-HF | AOW11S60 | BS107PSTOB

 

 

 

 

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