Справочник MOSFET. RU17P6C

 

RU17P6C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU17P6C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для RU17P6C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU17P6C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  ruichips
 ru17p6c.pdf pdf_icon

RU17P6C

RU17P6CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -18V/-6A,RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=-4.5VDRDS (ON) =26m(Typ.)@VGS=-2.5V Uses Ruichips Proprietary New TrenchTM Technology Low On-ResistanceE ti l d /dt bilit Exceptional dv/dt capability Low Gate Charge Minimize Switching LossG Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)SSOT23-3D

 9.1. Size:279K  ruichips
 ru17p12c.pdf pdf_icon

RU17P6C

RU17P12CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -18V/-12A, RDS (ON) =12m(Typ.)@VGS=-4.5VD RDS (ON) =15m(Typ.)@VGS=-2.5V Uses Ruichips Proprietary New TrenchTM Technology Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Low Gate Charge Minimize Switching LossG Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)S SOT23-3DApplications

Другие MOSFET... BRI7N65 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , RU13N65R , RU15P12C , RU17P12C , STF13NM60N , RU18N65P , RU205C , RU2060L , RU20N65P , RU20N65R , RU20P3C , RU2N65P , RU30110M .

History: VBZM8N60 | SSF53A0E | SSP65R080SFD3

 

 
Back to Top

 


 
.