Справочник MOSFET. RU17P6C

 

RU17P6C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU17P6C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для RU17P6C

 

 

RU17P6C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  ruichips
 ru17p6c.pdf

RU17P6C RU17P6C

RU17P6CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -18V/-6A,RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=-4.5VDRDS (ON) =26m(Typ.)@VGS=-2.5V Uses Ruichips Proprietary New TrenchTM Technology Low On-ResistanceE ti l d /dt bilit Exceptional dv/dt capability Low Gate Charge Minimize Switching LossG Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)SSOT23-3D

 9.1. Size:279K  ruichips
 ru17p12c.pdf

RU17P6C RU17P6C

RU17P12CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -18V/-12A, RDS (ON) =12m(Typ.)@VGS=-4.5VD RDS (ON) =15m(Typ.)@VGS=-2.5V Uses Ruichips Proprietary New TrenchTM Technology Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Low Gate Charge Minimize Switching LossG Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)S SOT23-3DApplications

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top