RU20N65P Todos los transistores

 

RU20N65P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU20N65P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO220F

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RU20N65P datasheet

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RU20N65P

RU20N65P N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 650V/20A, RDS (ON) =400m (Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GD S TO220F D D D D D Applications D pp D AC/DC Power Conversion

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RU20N65P

RU20N65R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 650V/20A, RDS (ON) =400m (Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G DS TO220 D D D D D Applications D pp D AC/DC Power Conversion i

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RU20N65P

Otros transistores... RU12N65P , RU13N65R , RU15P12C , RU17P12C , RU17P6C , RU18N65P , RU205C , RU2060L , 5N60 , RU20N65R , RU20P3C , RU2N65P , RU30110M , RU30120M3 , RU30180M-C , RU3030M3 , RU3040M3 .

History: BM3415E | BS108ZL1G | SSP50R240S | AP02N60J-H | STW55NM60ND | 2SK125 | BRI65R380C

 

 

 

 

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