Справочник MOSFET. RU20N65P

 

RU20N65P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU20N65P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 83 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для RU20N65P

 

 

RU20N65P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:459K  ruichips
 ru20n65p.pdf

RU20N65P RU20N65P

RU20N65PN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/20A, RDS (ON) =400m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220FDDDDDApplications Dpp D AC/DC Power Conversion

 7.1. Size:419K  ruichips
 ru20n65r.pdf

RU20N65P RU20N65P

RU20N65RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/20A, RDS (ON) =400m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DDDDDApplications Dpp D AC/DC Power Conversion i

 9.1. Size:925K  blue-rocket-elect
 bru20n50.pdf

RU20N65P RU20N65P

BRU20N50 Rev.E Sep.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-3P N MOS N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package. / Features dv/dt Low gate charge, Fast switching capability, Avalanche energy specified, Improved dv/dt capability. / Applications

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top