RU30120M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU30120M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3030

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU30120M3

RU30120M3 Datasheet (PDF)

..1. Size:557K ruichips
ru30120m3.pdf

RU30120M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =1.8m(Typ.)@VGS=10V DDDRDS (ON) =2.3m(Typ.)@VGS=4.5VD Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-ResistanceG Fast Switching SpeedSS 100% avalanche tested S Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)PIN1DFN3030DApplications Fast Ch

7.1. Size:317K ruichips
ru30120s.pdf

RU30120SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10VD RDS (ON) =3.3m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DApplications DC-DC ConvertersGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

7.2. Size:276K ruichips
ru30120l.pdf

RU30120LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Rat

7.3. Size:302K ruichips
ru30120r.pdf

RU30120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ra

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History: SPC18N50G

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: