Справочник MOSFET. RU30120M3

 

RU30120M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU30120M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: DFN3030
 

 Аналог (замена) для RU30120M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30120M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:557K  ruichips
ru30120m3.pdfpdf_icon

RU30120M3

RU30120M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =1.8m(Typ.)@VGS=10V DDDRDS (ON) =2.3m(Typ.)@VGS=4.5VD Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-ResistanceG Fast Switching SpeedSS 100% avalanche tested S Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)PIN1DFN3030DApplications Fast Ch

 7.1. Size:317K  ruichips
ru30120s.pdfpdf_icon

RU30120M3

RU30120SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10VD RDS (ON) =3.3m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DApplications DC-DC ConvertersGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

 7.2. Size:276K  ruichips
ru30120l.pdfpdf_icon

RU30120M3

RU30120LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Rat

 7.3. Size:302K  ruichips
ru30120r.pdfpdf_icon

RU30120M3

RU30120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ra

Другие MOSFET... RU18N65P , RU205C , RU2060L , RU20N65P , RU20N65R , RU20P3C , RU2N65P , RU30110M , 2N60 , RU30180M-C , RU3030M3 , RU3040M3 , RU3070M3 , RU30C20M3 , RU30C30M , RU30C40M3 , RU30J30M3 .

History: IRFP4568 | 2SK4119LS | SSF20N60S | FDMS86150 | IRFL024NPBF | NCEP25N10AQ | IPP08CNE8NG

 

 
Back to Top

 


 
.