RU30L30M3 Todos los transistores

 

RU30L30M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU30L30M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3030
     - Selección de transistores por parámetros

 

RU30L30M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:760K  ruichips
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RU30L30M3

RU30L30M3P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-30A,RDS (ON) =14m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=-4.5V Uses Ruichips advanced TrenchTM technologyGS Excellent QgxRDS(on) product(FOM)SS Reliable and RuggedR li bl d R dSD 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)DD

 6.1. Size:270K  ruichips
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RU30L30M3

RU30L30MP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -30V/-30A,RDS (ON) =12m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =20m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche testedPDFN3333 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management Load SwitchingP-Channel MOSFETAbsolute

 6.2. Size:899K  cn vbsemi
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RU30L30M3

RU30L30Mwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e,f Qg (Typ.),Typ.Definition0.0075 at VGS = - 10 V -35 TrenchFET Power MOSFET- 30 24.6 nC Low Thermal Resistance PowerPAK0.0105 at VGS = - 4.5V - 30Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg

 9.1. Size:307K  ruichips
ru30l15h.pdf pdf_icon

RU30L30M3

RU30L15HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -30V/-14.5A,RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =22m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Load Switching. PWM Applications.P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol

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History: IRLI3803PBF | AP4002T | STP60NF06LFP | DMN2020LSN | FDB0260N1007L | TPA65R180D

 

 
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