RU30L30M3 - описание и поиск аналогов

 

RU30L30M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30L30M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: DFN3030

Аналог (замена) для RU30L30M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30L30M3 даташит

 ..1. Size:760K  ruichips
ru30l30m3.pdfpdf_icon

RU30L30M3

RU30L30M3 P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -30V/-30A, RDS (ON) =14m (Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =18m (Typ.)@VGS=-4.5V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology G S Excellent QgxRDS(on) product(FOM) S S Reliable and Rugged R li bl d R d S D 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D D

 6.1. Size:270K  ruichips
ru30l30m.pdfpdf_icon

RU30L30M3

RU30L30M P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -30V/-30A, RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =20m (Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN3333 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management Load Switching P-Channel MOSFET Absolute

 6.2. Size:899K  cn vbsemi
ru30l30m.pdfpdf_icon

RU30L30M3

RU30L30M www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e,f Qg (Typ.) ,Typ. Definition 0.0075 at VGS = - 10 V -35 TrenchFET Power MOSFET - 30 24.6 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0105 at VGS = - 4.5V - 30 Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg

 9.1. Size:307K  ruichips
ru30l15h.pdfpdf_icon

RU30L30M3

RU30L15H P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -30V/-14.5A, RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=-10V RDS (ON) =22m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Protected SOP-8 Lead Free and Green Available Applications Load Switching. PWM Applications. P-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol

Другие MOSFET... RU30180M-C , RU3030M3 , RU3040M3 , RU3070M3 , RU30C20M3 , RU30C30M , RU30C40M3 , RU30J30M3 , AO3400A , RU30L40M3 , RU30L40M-C , RU30P40M3 , RU40120L , RU40180R , RU4030M3 , RU40C20M3 , RU40C40M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.