RU4030M3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU4030M3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Encapsulados: DFN3030
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RU4030M3 datasheet
ru4030m3.pdf
RU4030M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/30A, RDS (ON) =11m (Typ.)@VGS=10V SG RDS (ON) =14m (Typ.)@VGS=4.5V SS Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM) D Reliable and Rugged R li bl d R d DD D 100% avalanche tested D Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 DFN3030
Otros transistores... RU30C40M3 , RU30J30M3 , RU30L30M3 , RU30L40M3 , RU30L40M-C , RU30P40M3 , RU40120L , RU40180R , IRFZ46N , RU40C20M3 , RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H , RU65110R .
History: FQB30N06L | MEM564C
🌐 : EN ES РУ
Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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