RU4030M3 Todos los transistores

 

RU4030M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU4030M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3030
 

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RU4030M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  ruichips
 ru4030m3.pdf pdf_icon

RU4030M3

RU4030M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/30A,RDS (ON) =11m(Typ.)@VGS=10VSGRDS (ON) =14m(Typ.)@VGS=4.5VSS Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM)D Reliable and RuggedR li bl d R dDDD 100% avalanche testedD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1DFN3030

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History: R6524KNZ | HSM0204 | CJ2301-HF

 

 
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