Справочник MOSFET. RU4030M3

 

RU4030M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU4030M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN3030
 

 Аналог (замена) для RU4030M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU4030M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  ruichips
 ru4030m3.pdf pdf_icon

RU4030M3

RU4030M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/30A,RDS (ON) =11m(Typ.)@VGS=10VSGRDS (ON) =14m(Typ.)@VGS=4.5VSS Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM)D Reliable and RuggedR li bl d R dDDD 100% avalanche testedD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1DFN3030

Другие MOSFET... RU30C40M3 , RU30J30M3 , RU30L30M3 , RU30L40M3 , RU30L40M-C , RU30P40M3 , RU40120L , RU40180R , STP65NF06 , RU40C20M3 , RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H , RU65110R .

History: WNM2023 | NTZD3155CT1G

 

 
Back to Top

 


 
.