RU4030M3 - описание и поиск аналогов

 

RU4030M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU4030M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: DFN3030

Аналог (замена) для RU4030M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU4030M3 даташит

 ..1. Size:693K  ruichips
 ru4030m3.pdf pdf_icon

RU4030M3

RU4030M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/30A, RDS (ON) =11m (Typ.)@VGS=10V SG RDS (ON) =14m (Typ.)@VGS=4.5V SS Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM) D Reliable and Rugged R li bl d R d DD D 100% avalanche tested D Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 DFN3030

Другие MOSFET... RU30C40M3 , RU30J30M3 , RU30L30M3 , RU30L40M3 , RU30L40M-C , RU30P40M3 , RU40120L , RU40180R , IRFZ46N , RU40C20M3 , RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H , RU65110R .

History: 2SK2824 | ATM2302BNSA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.