RU4030M3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU4030M3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: DFN3030
Аналог (замена) для RU4030M3
RU4030M3 Datasheet (PDF)
ru4030m3.pdf
RU4030M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/30A,RDS (ON) =11m(Typ.)@VGS=10VSGRDS (ON) =14m(Typ.)@VGS=4.5VSS Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM)D Reliable and RuggedR li bl d R dDDD 100% avalanche testedD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1DFN3030
Другие MOSFET... RU30C40M3 , RU30J30M3 , RU30L30M3 , RU30L40M3 , RU30L40M-C , RU30P40M3 , RU40120L , RU40180R , IRFZ46N , RU40C20M3 , RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H , RU65110R .
History: SWB058R65E7T | AP20N15GH | RCJ100N25 | AUIRF7341Q | PTS4936 | 2SK3874-01R | STD25NF10LA
History: SWB058R65E7T | AP20N15GH | RCJ100N25 | AUIRF7341Q | PTS4936 | 2SK3874-01R | STD25NF10LA
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent


